Рейтинг
Порталус

ОПЫТНО-ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭПИТАКСИЯ КРЕМНИЯ: ТЕОРИЯ И ЭКСПЕРИМЕНТ

Дата публикации: 08 сентября 2010
Автор(ы): Е. П. Прокопьев, С.В. Петров, В. С. Белоусов
Публикатор: Prokopiev
Рубрика: ВОПРОСЫ НАУКИ ВОПРОСЫ НАУКИ →
Источник: (c) http://portalus.ru
Номер публикации: №1283924186


Е. П. Прокопьев, С.В. Петров, В. С. Белоусов, (c)

Сайт автора: http://www.prokopep.narod.ru

В современном электронном материаловедении процесс опытно-промышленной эпитаксии кремния играет выдающуюся роль. В связи с этим в наших исследованиях был дан обзор теоретических и экспериментальных исследований роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния в вертикальном и горизонтальном реакторах проточного типа для различных хлоридных и гидридных процессов. В общем виде удалось сформулировать математическую модель процессов для случаев стационарного и нестационарного пограничных слоев. Наиболее детально обсуждались аналитические модели роста и легирования в хлоридных и гибридном процессах для случая стационарного пограничного слоя.
Предложенная нами феноменологическая модель теории роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния во многих случаях удачно отражает экспериментальные данные зависимостей скорости роста Vp(х) и уровня легирования Np(х) от технологических параметров процесса и параметров реактора. Однако эта теория, по существу дела, учитывала лишь один вид массопереноса лимитирующего реагента в ПГС к поверхности подложек — молекулярную диффузию. Впоследствии были проведены работы, в которых наряду с молекулярной диффузией учитывались такие составляющие массопереноса реагентов, как термодиффузия, бародиффузия, стефановский поток, вынужденный конвективный поток, обусловленный особенностями движения ПГС в конфузоре (реакторе с наклонным пьедесталом) и термохимическая конвекция, обусловленная гомогенным превращением реагентов.
Это позволило предложить новую аналитическую модель скорости роста и уровня легирования эпитаксиальных слоев кремния, позволяющую эффективно моделировать и оптимизировать различные процессы парогазовой эпитаксии (CVD процессы). Эта же модель применима и к лазерно-химическим и быстрым термическим методам нагрева подложек некогерентным излучением. В импульсных технологиях получения эпитаксиальных слоев большое значение приобретает вопрос анализа и вклада различных механизмов массопереноса в общий процесс массопереноса. Были рассмотрены вопросы вклада и анализа различных механизмов массопереноса в стационарном пограничном слое в общий процесс массопереноса лимитирующих реагентов для случаев тетрахлоридного и гидридного процессов и приведены результаты моделирования и оптимизации гидридного и тетрахлоридного процессов.

Опубликовано на Порталусе 08 сентября 2010 года

Новинки на Порталусе:

Сегодня в трендах top-5


Ваше мнение?


КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА (нажмите для поиска): кремний, слои, эпитаксия, кинетика роста



Искали что-то другое? Поиск по Порталусу:


О Порталусе Рейтинг Каталог Авторам Реклама