Статья продолжает тему работ автора, опубликованных здесь же, о влиянии солнечной активности на различные стороны социального бытия.

Полная версия публикации

Рассмотрены особенности локализации и вещественный состав коренных проявлений минералов платиной группы в ряде массивов альпинотипных ультрамафитов Корякского нагорья, Южного Урала и Западной Монголии. Приведены результаты 4091 микрозондовых анализов породообразующих минералов (включая хромитовые рудопроявления) и 4308 анализов минералов платиновой группы из коренных проявлений.
Подробно на сайте http://www.dmitrenkogg.narod.ru/

Полная версия публикации

Рассмотрены исходные мотивы и физический смысл преобразований Лоренца. Показано, что эти преобразования происходят из уравнений распространения света в направлении движения источника излучения, выражают соотношения виртуальных пространственных интервалов – пакетов световых волн и соответствующих им временных и частотных параметров, и не имеют никакого отношения к пространственно-временным координатам каких-либо систем отсчета.
http://www.dmitrenkogg.narod.ru/theorynew.doc

Полная версия публикации

Эта короткая статья написана по горячим следам «ничтожной» с точки зрения автора статьи, лекции известного российского геолога Н. Короновского «Земля вчера, сегодня, завтра», прочитанной им на телеканале Культура в начале февраля 2011 года.

Полная версия публикации

Афганистан

Полная версия публикации

О "фундаментальной структуре материи" без формул

Полная версия публикации

On the basis of works [1-5] properties localized and delocalized Wheeler complexies in semiconductors are considered.
1. J.A.Wheeler // Ann. N. Y. Acad. Sci, 1946. Vol, 48. P.219.
2. E.P.Svetlov-Prokopiev // Bull.KazNU, ser. phys. 2008. №1(25). P.52-57.
3. M.A.Lampert // Phys. Rev. Lett. 1958. Vol.1. P.450.
4. L.V.Keldysh // Uspechi – Physics. 1970. V.100. P.514.
5. L.V.Keldysh // In book: Exitons in semiconductors. М.: Nauka, 1971. P.5.


[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]

Полная версия публикации

Researches of last time (see, for example allow to draw in a new fashion possible (one of the elementary) a dynamic picture of the eternal World (Eternity): distributions and evolutions of parts making it. It manages to be made by means of the fantastic theory of secondary (tertiary) quantization developed in number works.

[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]

Полная версия публикации

Scientific papers, monographies, theses of the reports and reports on conferences, reports, dep. theses, papers and reports

[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]

Полная версия публикации

Рассматриваются различные технологии и методы исследования структур "кремний на изоляторе" (КНИ). Предложена модифицированная технология получения этих структур с использованием современных методов очистки поверхности и сращивания кремниевых пластин во влажных условиях, а также методов химической сборки поверхности и сращивания с применением пленок диоксида кремния и многокомпонентных стекловидных материалов.
Для детального понимания процессов образования и эволюции радиационных дефектов в материалах электронной и атомной промышленности в процессе облучения и после облучения (в частности, при послерадиационном отжиге), необходимо проведение фундаментальных исследований радиационных эффектов на атомно-масштабном уровне. К таким эффектам следует, прежде всего, отнести образование единичных точечных дефектов и их комплексов, развитие каскадов атомных столкновений, влияние инородных (примесных) атомов на эти процессы, распыление поверхностных атомов в припороговой области энергий бомбардирующих частиц и т.п. Важнейшей информацией во всех указанных эффектах являются данные о химической природе каждого из наблюдаемых атомов, а также о микроскопическом состоянии материалов во взаимосвязи со спектром и параметрами присутствующих дефектов.
Исследования проводились на функционирующих в МИЭТ, ИТЭФ, МИФИ уникальных комплексах, позволяющем анализировать не только структуру материалов на атомно-масштабном уровне, но и определять химическую природу единичных наблюдаемых атомов. Созданная современная экспериментальная база включает: томографический атомный зонд (производства «Cameсa»), просвечивающий электронный микроскоп (производства «JEOL»), сканирующий туннельный атомно-силовой микроскоп (производства «Digital Instruments»), разработанные в ИТЭФ приборы (автоионный микроскоп, сканирующие туннельные и атомно-силовые микроскопы) и различные методы позитронной аннигиляционной спектроскопии. Указанные выше работы являются базой для атомно-масштабных исследований радиационно-стимулированных явлений в материалах электронной и атомной техники. Исходя из опыта развитых стран видно, что решающую роль при этом играют атомно-масштабные методы контроля структуры материалов, особенно томографические атомно-зондовые исследования. Имеющаяся в МИЭТ, ИТЭФ, МИФИ лабораторная база позволяет решать поставленные задачи. В связи с этим коллаборацией были проведены работы по созданию технологии сращивания стандартных пластин кремния и других полупроводников с целью производства структур КНИ, многослойных структур и тонких монокристаллических слоев полупроводников с использованием методов термообработки в условиях влажной атмосферы и газового скалывания (с использованием метода молекулярного наслаивания) тонких слоев методом облучения ионами водорода (гелия) образцов в процессе термообработки, а также рабаты по разработке и эксплуатации источников заряженных частиц разного типа и имеющихся макетах имплантера и источников ионов водорода (дуоплазмотрон, источник Пеннинга с холодным катодом, электронно-ионный источник плазменно-пучкового типа, ВЧ инжектор, СВЧ инжектор).
Для получения структур КНИ и других многослойных структур, тонких монокристаллических слоев полупроводников, используемых для создания новой элементной базы микроэлектроники, современных суперкомпьютеров, ультрабольших интегральных схем с повышенной стойкостью к ионизирующим излучениям, микроэлектронных кремниевых датчиков и микроэлектромеханических устройств (которые необходимы для электронной и атомной промышленности) и солнечных батарей, а также материалов нано- и микроэлектроники использовался метод прямого соединения окисленных поверхностей пластин кремния с последующим утончением одной из пластин до требуемой толщины монокристаллического слоя кремния. При этом определяющую роль играет химический состав и качество обеих поверхностей соединяемых пластин. Контроль качества поверхности обычно осуществляют с помощью измерения геометрических параметров, электрофизических характеристик и анализа загрязнений различными методами (оптическими, ренгтеновскими и т.д.). В некоторых случаях необходимо активирование и модифицирование таких поверхностей. Возникает задача получения известного химического состава поверхности с требуемыми свойствами с целью оптимизации процесса соединения пластин. Таким образом, предложенная технологическая схема изготовления структур КНИ методом отслаивания осуществляется с использованием процессов прямого соединения пластин и химической сборки поверхности во влажных условиях, включающий процессы очистки и окисления кремния, процесс молекулярного наслаивания, процессы низкотемпературного и высокотемпературного сращивания пластин с поверхностями заданного состава. Согласно разработанным маршрутам в методе прямого сращивания вместо технологии шлифовки и травления для утончения одной из пластин предлагается использовать технологию отслаивания (отщепления) части рабочей пластины кремния по области пористого слоя, образованного посредством имплантации протонов на заданную глубину в пластину кремния. Пористый слой включает в свой состав наполненные водородом нанопоры, созданные имплантацией протонов в слое кремния через тонкую пленку SiO2.
Были сформулированы требования к имплантеру и источникам протонов. На основе анализа полученных результатов определен прототип источника и выполнены необходимые конструктивные доработки, а также рассмотрен вопрос об использовании «электронного душа» для нейтрализации объемного заряда облучаемых пластин.
В частности, был предложен новый модифицированный импульсный источник ионов водорода для проведения работ в области радиационной физики и имплантации протонов в пластины большого диаметра в технологии сращивания стандартных пластин кремния и других полупроводников с целью производства структур кремний на изоляторе, многослойных структур и тонких монокристаллических слоев полупроводников с использованием методов термообработки в условиях влажной атмосферы и газового скалывания (с использованием метода молекулярного наслаивания) методом облучения ионами водорода (гелия) образцов в процессе термообработки. Были продолжены исследования и дальнейшая разработка и усовершенствование этого модифицированного источника ионов водорода установленного на макете имплантера Института теоретической и экспериментальной физики (ИТЭФ).
На разработанном макете имплантора облучались ионами водорода пластины кремния марки КЭФ-4,5(100) и КДБ-12(100). Образцы предназначены для формирования многослойных структур методами сращивания и газового скалывания.
Полученные образцы исследовали методами атомно-силовой и электронной микроскопии. Исследования показали, что облученные образцы содержат зоны неравномерного облучения, которые могут быть устранены при конструктивном усовершенствовании установки.
В процессе исследования проводилось изучение состояния сращиваемых поверхностей и эволюции дефектной структуры облученного слоя на атомарном уровне, отработки процессов химической очистки, гидрофилизации, активации поверхности и их термического сращивания. Предполагается в дальнейшем разработка источника ионов водорода с энергиями от 80-150 кэв для облучения пластин большого диаметра (150 –200, 300 мм) с целью получения структур КНИ большого диаметра (на первом этапе 150 мм), разработка и производство мини-чистых комнат для штучного производства и прибора для определения энергии сращивания пластин методом вставления лезвия.

Полная версия публикации