В последнее время наблюдается интенсивное развитие позитроники различных веществ и их состояний. Интерес к изучению позитроники не случаен. Он связан, с одной стороны, с фундаментальными проблемами физики: рождением и эволюцией вселенной и/или вселенных, позитронной астрофизикой, взаимодействием вещества и антивещества, с изучением позитронных и позитрониевых связанных состояний на дефектах различной природы и новых модификаций комплексов Уилера в веществе; с другой стороны, с поиском новых уникальных методов исследования электронной структуры и некоторых физико-химических характеристик вещества (в том числе и твердых тел) в дополнение к уже существующим методам (оптическим, электрическим, магнитным и другим методам), а также возможностей построения приборов и устройств, работающих на основе эффектов взаимодействия излучения с веществом.
В настоящее время выполнены экспериментальные исследования позитронной аннигиляции в металлах, сплавах, конденсированных средах ионного типа (щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК), гидридах и окислах металлов и других веществах ионного типа), элементарных полупроводниках Si, Ge, Se, А3В5 и А2В6, полимерах и т.д. Обнаружена высокая чувствительность позитронного метода (аннигиляционных характеристик) к электронной и дефектной структуре этих веществ. Поэтому можно говорить о позитронной аннигиляционной спектроскопии как методе исследования электронной структуры, определения структуры, природы и концентраций точечных и протяженных дефектов, изучения нарушенных поверхностных слоев и поверхностных состояний в металлах, сплавах, полупроводниках, ионных кристаллах и других веществах, прочно вошедших в арсенал физики и химии твердого тела .
Исследования, проведенные в полупроводниках и ионных кристаллах за последние годы, выявили ряд новых эффектов в позитронных аннигиляционных спектрах этих веществ: существование нескольких времен жизни позитронов, тонкую структуру кривых углового распределения аннигиляционных фотонов (УРАФ), повышенную вероятность трехквантовой аннигиляции, наличие магнитного тушения некоторых основных характеристик позитронных аннигиляционных спектров (т.е. тушения ортопозитрониевых состояний) и т.д. Таким образом, можно сделать вывод о том, что в полупроводниках и ионных кристаллах наблюдается широкий спектр позитронных и позитрониевых состояний, исследованию свойств которых посвящен данный сборник статей.
Полученные результаты усиливают интерес к дальнейшим экспериментальным и теоретическим исследованиям позитронных состояний, позитронных процессов и позитронной аннигиляции в кристаллах с целью систематизации уже накопленного материала, классификации позитронных и позитрониевых состояний, описания их свойств, влияния на них различных внешних факторов (внешнего магнитного поля, температуры, давления и т.д.), а также более четкого выяснения возможных применений позитронного метода. Данные материалы исследований, помещенные на Портале несомненно представляют интерес для специалистов в области позитроники.



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]



[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]