Результатом проведенных исследований явилоись разработка и изготовление структур «кремний на изоляторе» предназначенных для формирования на их основе специализированных микросхем и элементов микроэлектромеханических систем. Насущная необходимость развития подобных технологий диктуется потребностью микроэлектроники в структурах большого диаметра, на которых возможно изготовление сверхбольших интегральных схем с высокой степенью интеграции, низкой себестоимостью изготовления, и способных работать в условиях внешнего воздействия неблагоприятных факторов (радиационные, высокотемпературные воздействия и т.д.). Важным направлением подобных разработок является изготовление структур для создания блоков интеллектуальных систем, интеграция электронных устройств в одном кристалле (интеграция на целой пластине), а также создание микромеханических систем, например, микромеханических гироскопов, акселерометров и схем обработки сигнала и управления этими приборами.
Исследования параметров полученных образцов структур подтверждают правильность выбранного варианта технологического процесса получения этих структур на предприятиях микроэлектроники (см. также http://www.prokopep.narod.ru. Раздел TECHNOLOGIES OF SOI STRUCTURES|).

[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]