Смотри более подробно в:

1 А.Л.Суворов, Б.Ю.Богданович, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, В.В.Калугин, А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии производства и методы исследования структур «кремний на изоляторе» (КНИ).Ссылка Сайт НОР: http://www.ntsr.info/science/library/?SHOWALL_1=1. http://www.ntsr.info/science/library/3073.htm.

2. А.Л.Суворов, Б.Ю.Богданович, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, В.В.Калугин, А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии производства и методы исследования структур «кремний на изоляторе» (КНИ). http://www.ntsr.info/science/library/?SHOWALL_1=1. http://www.ntsr.info/science/library/3073.htm.

Введение. http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Vvedenie.doc

Глава 1. Технология прямого сращивания пластин кремния и технологические маршруты изготовления структур КНИ. http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava%201.doc

Глава 2. Химическая обработка поверхности полупроводниковых пластин в процессе изготовления многослойных структур и микроэлектронных изделий, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 2.doc

Глава 3. Проблема прямого сращивания материалов: силы взаимодействия и поверхностные явления на границе раздела, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 3.doc

Глава 4. Технология прямого сращивания пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания

Глава 5. Получение структур КНИ с использованием методов химической обработки и сращивания кремниевых пластин, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 5.doc

Глава 6. Исследование процессов синтеза мелкодисперсных порошков оксидов, синтеза диэлектрического стекловидного материала SiO2–Al2O3–BaO в высокочастотной индукционной плазме и получения пористого кремния, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 6.doc

Глава 7. Результаты исследований полученных структур КНИ, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 7.doc

Глава 8. Определение параметров и исследование свойств структур КНИ, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 8.doc

Глава 9. Исследование процесса имплантации ионов в полупроводники и полупроводниковые структуры методом пучковой позитронной аннигиляционной спектроскопии, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 9.doc

Глава 10. Возможные синергетические подходы к проблемам электронного материаловедения, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 10.doc

Глава 11. Применение метода позитронной аннигиляционной спектроскопии для исследования дефектов структуры твердого тела, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava%2011.doc

Глава 12. Применение и развитие методов позитронной аннигиляционной спектроскопии для определения размеров нанообъектов в пористых системах, дефектных материалах и наноматериалах (начало), http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 12 1.doc
Глава 12. Применение и развитие методов позитронной аннигиляционной спектроскопии для определения размеров нанообъектов в пористых системах, дефектных материалах и наноматериалах (окончание), http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 12 2.doc

[ЗАГРУЗИТЬ ФАЙЛ]