В ряде работ [1-19] были рассмотрены основные закономерности аннигиляции позитронов в ионных кристаллах, полимерах, полупроводниках и металлах. Там же приведены структурные схемы используемых установок: изучение временного распределения аннигиляционных фотонов (ВРАФ), углового распределения аннигиляционных фотонов (УРАФ) и доплеровского уширения аннигиляционной линии с энергией 0,511 МэВ (ДУАЛ). Метод ВРАФ дает сведения об электронной плотности в месте аннигиляции позитрона, а методы УРАФ и ДУАЛ дают информацию о распределении импульсов электронов. Имеются две группы этих методов. В первой группе используются медленные позитроны, позволяющие исследовать приповерхностные слои на небольших глубинах. Во второй группе используются быстрые позитроны, проникающие в исследуемый объект на большие глубины мкм и дающие информацию о типе, концентрации и распределении дефектов во всем объеме твердого тела. Все эти методы уже получили достаточно широкое применение для исследования в современном материаловедении, в частности в атомном и электронном материаловедении (см., например, [1-19]).
В данной работе основное внимание уделено вопросам измерений энтальпий образования объемных вакансий с помощью быстрых позитронов и поверхностных – с помощью медленных позитронов.

Список литературы
1. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и ионных кристаллах. - М., 1979. - 384 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2837. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - № 27. - 1980. - Сер. "ЭР".
2. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники полупроводников. М.,1976. 343 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2073. РИ.77.06.3412.
3. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в ионных кристаллах. М., 1978. 292 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.
4. Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Позитроны в конденсированных средах. М., 1977. 489 с. - Деп. в ЦНИИ“Электроника”. Р-2317. Сб. ВИМИ “ Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №9. 1978.
5. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в полимерах. М., 1978. 126 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2501. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №24. 1978.
6. Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов. Позитронная аннигиляция - новый метод изучения строения вещества. М., 1986. 86 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4367. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”ИМ”. №12. 1987.
7. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с.
8. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. // Успехи физических наук. 2002. Т.172. №1. С.67-83.
9. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с.
10. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др. Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. 272 c.
11. Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. 192 c.
12. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах // Успехи физических наук. 1971. Т.103. Вып.2. С.339.
13. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов анионов в средах ионного типа позитронным методом // Успехи химии. 1972. Т.41. Вып.4. С.585.
14. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Позитронная аннигиляционная спектроскопия в ИТЭФ. Инженерная физика. Специальный выпуск. 2007. №1. С.33-39.
15. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества материалов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. С.36-37.
16. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов. М., 1982. С.23. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3534.
17. Прокопьев Е.П. Об исследовании технически важных материалов методом аннигиляции позитронов. М., 1985. С.3-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
18. Seeger A. The study of defects In crystals by posItron annIhIlatIon // Appl. Phys. - 1974. - Vol. 4, № 2. - P. 183 - 199.
19. Rice-Evans P., Changlar I., KhangI F.A.R El. PosItron annIhIlatIon In lead // PhIl. Mag. - 1978. - Vol. 38, № 5. - P. 543 - 558.