Последовательная теория квазиатомных систем позитрон-анион была развита в в ряде работ автора и соавторов. При этом учитывалось влияния поля кристаллической решетки на аннигиляционные характеристики этих систем, их собственные значения и волновые функции. Теория позитронных центров окраски, особенности аннигиляционных характеристик этих систем были отражены также достаточно подробно. Однако, последовательная теория позитронных примесных центров в кристаллах (особенно центров малого радиуса) за исключением депонированной работы автора отсутствовала. В данной работе рассматривается теория позитронных примесных центров малого радиуса в кристаллах. Используются методы и представления монографии Н.Н. Кристоффеля, посвященной теории примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах с учетом особенностей поведения позитронов в многоэлектронных системах. Рассмотрены температурные зависимости процесса аннигиляции простейших позитронных центров окраски, используя для обозначения центров терминологию Сондера и Сибли в скобках и привычную нашу терминологию ( A - , F - и других центров). Эти центры представляют собой связанные системы из позитрона и междоузельного отрицательного иона, катионной вакансии и дивакансии соответственно и т.д. Нами показано, что основные характеристики аннигиляционных спектров в акте двухквантовой аннигиляции зависят как от энергии (импульса) центра массы аннигилирующей пары в этих примесных центрах, так и от температуры кристаллической решетки.